氧化膜片
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商品資訊
產品定位
氧化膜片是在矽晶圓（Silicon Wafer）表面成長熱氧化層（Thermal Oxide），為製程工程師提供膜厚校正、蝕刻率驗證及電絕緣測試的高穩定度參考基準。
應用場合
蝕刻製程（Etch）
用於驗證乾式或濕式蝕刻之速率、選擇比與均勻性。
薄膜沉積（Deposition）
作為 CVD、PVD 設備膜厚量測儀器之校正參考件。
光學量測（Metrology）
橢圓偏振儀（Ellipsometer）或反射式膜厚儀之折射率與厚度參數標定。
製程研發
半導體元件開發中，作為測試結構之場氧化層（Field Oxide）或電絕緣層模擬。
化學機械平坦化（CMP）
評估研磨製程之移除速率（Removal Rate）與平坦化效能。
規格
項目 技術參數 晶圓尺寸 6 吋 (150 mm) / 8 吋 (200 mm) / 12 吋 (300 mm) 氧化層材質 二氧化矽 (SiO₂) 加工製程 研磨、拋光、清洗、檢驗與包裝 氧化層厚度 依客戶規格定義 材質與選項
供應標準 150mm、200mm 與 300mm 矽晶圓基底，可依客戶需求定義二氧化矽層（SiO₂）之目標厚度與允收範圍。產品表面經精密拋光處理，其機械維度公差參照 GB/T 1804-m 等級加工。本產品之部分薄膜製程（如特定濺鍍、蒸鍍需求）採委外協作，羽昌科技負責全程品質管控與出廠檢驗，並可依據需求提供第三方量測報告以確保規格相符性。
詢價須提供資料
詢價請註明所需晶圓尺寸、二氧化矽目標厚度、膜厚均勻度（Uniformity）公差要求、採購數量及預計交期。
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商品Q&A