首頁 > 產品櫥窗 > 晶圓減薄片

晶圓減薄片

商品圖像
  • 商品資訊

    產品定位

    透過精密背面研磨與再生處理技術,提供半導體製程調校所需的監控晶圓(Monitor Wafer)與測試片,解決研發階段高昂的材料成本問題。

    應用場合

    1. 晶圓減薄機台(Back-grinding)移除率測試與均勻度校正。

    2. 3D IC 晶片堆疊(Chip Stacking)與封裝製程開發。

    3. 自動化搬運設備(EFEM/Robot)之傳輸教導與路徑驗證。

    4. 薄膜沉積與蝕刻製程之機台狀態監控(Dummy Wafer)。

    5. 晶圓級封裝(WLP)與 AOI 檢測設備之調機需求。

    規格

    項目說明
    加工類別晶圓背面研磨(Back-grinding)、再生晶圓處理(Reclaimed Wafer)
    處理工序去膜、重新拋光、清洗
    精度依據參照 ISO 230-2 進行機台定位與加工精度校核

    材質與選項

    主要材質為單晶矽(Silicon),針對不同製程需求提供背面研磨(Back-grinding)與再生晶圓(Reclaimed Wafer)兩種服務模式。本公司具備表面幾何尺寸量測能力,平面度最高精度可達 0.015 mm,並可依據需求提供第三方公正量測報告。針對製程中所需的濺鍍(Sputtering)或蒸鍍(Evaporation)薄膜需求,本公司採取與專業外部廠家技術協作方式提供。如涉及靜電防護要求,其表面電阻值範圍可控制於 10⁵~10⁹ 歐姆。

    詢價須提供資料

    請提供原始晶圓尺寸、起始厚度、目標加工厚度、表面精度要求(如平面度或粗糙度)、需求數量及交期,以便進行技術評估。

  • 商品Q&A

    • 提問者稱呼
    • E-mail
    • 留言內容
    • 驗證碼
上一頁
PAGE TOP