晶圓減薄片
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商品資訊
產品定位
透過精密背面研磨與再生處理技術,提供半導體製程調校所需的監控晶圓(Monitor Wafer)與測試片,解決研發階段高昂的材料成本問題。
應用場合
1. 晶圓減薄機台(Back-grinding)移除率測試與均勻度校正。
2. 3D IC 晶片堆疊(Chip Stacking)與封裝製程開發。
3. 自動化搬運設備(EFEM/Robot)之傳輸教導與路徑驗證。
4. 薄膜沉積與蝕刻製程之機台狀態監控(Dummy Wafer)。
5. 晶圓級封裝(WLP)與 AOI 檢測設備之調機需求。
規格
項目 說明 加工類別 晶圓背面研磨(Back-grinding)、再生晶圓處理(Reclaimed Wafer) 處理工序 去膜、重新拋光、清洗 精度依據 參照 ISO 230-2 進行機台定位與加工精度校核 材質與選項
主要材質為單晶矽(Silicon),針對不同製程需求提供背面研磨(Back-grinding)與再生晶圓(Reclaimed Wafer)兩種服務模式。本公司具備表面幾何尺寸量測能力,平面度最高精度可達 0.015 mm,並可依據需求提供第三方公正量測報告。針對製程中所需的濺鍍(Sputtering)或蒸鍍(Evaporation)薄膜需求,本公司採取與專業外部廠家技術協作方式提供。如涉及靜電防護要求,其表面電阻值範圍可控制於 10⁵~10⁹ 歐姆。
詢價須提供資料
請提供原始晶圓尺寸、起始厚度、目標加工厚度、表面精度要求(如平面度或粗糙度)、需求數量及交期,以便進行技術評估。
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商品Q&A
