晶圓切割盤
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商品資訊
產品定位
本產品為整合高孔隙率多孔陶瓷與不鏽鋼基座之精密真空吸盤，旨在解決半導體晶圓於切割、研磨及清洗製程中，因吸附應力不均或靜電放電（ESD）導致的工件位移與表面損傷。
應用場合
1. 晶圓切割製程（Wafer Dicing / Sawing）之真空吸附固定。
2. 晶圓背磨（Back Grinding）設備之承載支撐。
3. 晶圓清洗（Cleaning）與乾燥製程之吸附載台。
4. AOI 自動光學檢測平台之高精密工件定位。
5. 半導體晶圓薄化（Thinning）與分離製程承載。
規格
項目 技術參數 / 描述 適用晶圓尺寸 6"、8"、12" 基座材質 不鏽鋼 多孔陶瓷抗電阻值 10⁶~10⁸ Ω 表面平面度精度 ≦ 0.015 mm 吸附特性 高均勻性真空分佈與高吸附力 材質與選項
採用具備化學惰性與高機械強度之多孔陶瓷材料，孔徑分佈均勻以確保真空吸附應力之一致性。表面電阻率管控依據 IEC 61340-2-3 標準，穩定維持於 10⁵~10⁹ Ω 範圍，有效抑制製程中靜電累積。基座選用精密加工之不鏽鋼，可依據機台介面客製化鎖孔位置與溝槽設計。本司可配合客戶需求提供第三方量測報告。
詢價須提供資料
請提供晶圓規格（吋別）、詳細之吸附孔位分佈圖面（須標註尺寸公差，建議參考 GB/T 1804-m）、年度需求數量及預計交期。
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